Что такое проводник типа n?

---

В полупроводнике типа n преобладает электронный ток. Нарушения кристаллической структуры достигают введением в кристалл чистого полупроводника (кремния или германия), примесей донорного типа (например, мышьяка), т.е. элемента, имеющего на внешней оболочке на один валенный электрон больше, чем гepманий и кремний. При этом в кристаллической решетке остается один электрон, который может легко перейти в зону проводимости и участвовать в прохождении тока как донорный или неосновной носитель. В кристаллической решетке сохраняется ион с положительным зарядом. Следует подчеркнуть, что этот положительный ион в полупроводнике типа п неподвижный, а следовательно, не участвует в протекании тока в отличие от дырок, возникающих при собственной проводимости. В зонной модели полупроводника типа n (см. рисунок) введение донорной примеси вызывает возникновение дополнительного энергетического уровня между зоной проводимости и валентной зоной. Разность энергий между дополнительным уровнем и зоной проводимости настолько мала (для кремниевого полупроводника она составляет около 0,05 эВ), что электрон может легко перейти с этого дополнительного уровня в зону проводимости. Положительный ион, образовавшийся при отрыве электрона от атома примеси, остается фиксированным. Очевидно, что в полупроводнике типа n имеются также дырки, возникшие в процессе образования пар электрон—дырка при собственной проводимости, однако их значительно меньше, чем электронов, возникающих в основном за счет введения примеси. Дырки, существующие в полупроводнике типа n, называются неосновными, а электроны — основными носителями.